近日，有媒体报道称，精华大学化学系许华平教授团队，在EUV光刻胶上取得了重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶材料，这种光刻胶材料，比现有的EUV光刻胶，具有更好的特性。
目前该成果，已经发表在核心期刊上，而这种材料和技术，为中国研发出EUV光刻胶，提供了可行路径，也就是说可能很快中国就会研发出自己的EUV光刻胶了。
要知道目前全球的EUV光刻胶，几乎都掌握在日本企业手中，不仅仅是EUV光刻机，先进的ArF光刻胶，也掌握在日本企业手中。
中国能够研发出来的光刻机，主要还是KrF光刻胶，以及一些不那么先进的ArF，从工艺来看，大约还处于40nm-65nm阶段。
而EUV光刻胶，可是用于7nm及以下工艺的，从40nm跨进至7nm以下了，所以这确实是一个重大突破，值得大家兴奋。
展开剩余54%但是在兴奋之作，我们也要想一想，那就是EUV光刻胶，是与EUV光刻机配合的，用于7nm以下的芯片制造的，没有EUV光刻机的话，EUV光刻胶除了卖给别人，对我们实际用处并不大。
在芯片的生产制造中，需要几百种设备、几百种材料，这些设备、材料缺一不可，就没有替代品，EUV光刻胶只是材料的一种，EUV光刻机是设备的一种，缺一不可。
目前全球仅有ASML一家有制造EUV光刻机的能力，且ASML的EUV光刻机，不准卖给中国，所以我们要想有自己的EUV光刻机，必须进行自研。
但EUV光刻机的研发难度太大了，从光源，到物镜系统，到工作台，都是难度非常非常大的，有人甚至认为，它比原子弹的研发还难度高。
ASML目前的EUV光刻机，在全球有上千家供应商，很多供应商甚至是唯一的，还与ASML签订了独家协议，所以我们要研发出EUV光刻机，需要重建这么一个庞大的供应链体系。
所以啊，真的是“革命远未成功，同志还需努力”，目前国产EUV光刻胶其实还在理论室验室里，而EUV光刻机则可能差的更远，大家还得继续加油，只有EUV光刻机、EUV光刻胶全解决了，我们才能真正不怕被卡脖子。
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